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参数资料
| 型号： | MRFE6S9125NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 594K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFE6S9125NR1DKR |
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 700 mA,
Pout
= 60 W Avg., 920-960 MHz, EDGE Modulation
Power Gain
Gps
?
20
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
40
?
%
Error Vector Magnitude
EVM
?
1.8
?
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
?
-63
?
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
?
-78
?
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 700 mA, Pout
= 125 W, 920-960 MHz
Power Gain
Gps
?
19
?
dB
Drain Efficiency
ηD
?
62
?
%
Input Return Loss
IRL
?
-12
?
dB
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 880 MHz)
P1dB
?
125
?
W
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 950 mA, 865-900 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 125 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
10
?
MHz
Gain Flatness in 35 MHz Bandwidth @ Pout
= 27 W Avg.
GF
?
0.93
?
dB
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.011
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.205
?
dBm/°C
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