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参数资料
| 型号： | MRFE6S9125NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 594K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFE6S9125NR1DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
?5
?10
?15
?20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
980
820
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 27 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
?70
40
20
?40
?50
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
VDD= 28 Vdc, Pout
= 27 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
?60
?30
30
21
20
18
16
15
14
17
19
ALT1
840
IRL
ηD
0
?5
?10
?15
?20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
980
820
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 62.5 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
?60
60
40
?30
?40
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
VDD= 28 Vdc, Pout
= 62.5 W (Avg.)
IDQ
= 950 mA, N?CDMA IS?95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
?50
30
50
20
18
16
15
13
17
19
ALT1
840
IRL
ηD
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 300100
16
1
IDQ
= 1475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22
19
17
G
ps
, POWER GAIN (dB)
475 mA
20
18
1187 mA
712 mA
950 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?20
1
IDQ
= 475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
?30
?40
?50
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
?10
712 mA
300
?60
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
1425 mA
950 mA
14
21
1187 mA
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