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参数资料
| 型号： | MRFE6S9130HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 413K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 66 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
10
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μAdc)
VGS(th)
1
2.1
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
= 28 Vdc, I
D
= 950 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
2
2.9
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 2.74 Adc)
VDS(on)
?
0.22
0.5
Vdc
Dynamic Characteristics (1)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.6
?
pF
Output Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
66
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg. N-CDMA, f = 880 MHz,
Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±750 kHz Offset.
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
18
19.2
21
dB
Drain Efficiency
ηD
29
30.5
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-47.6
-46
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-29
-9
dB
1. Part internally input matched.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38075HR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780 |
| MRF7S38040HSR3 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38040HR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| MRF7S38040HR3 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| FCN2420E104K-B | CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9130HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFE6S9130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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