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参数资料
| 型号： | MRFE6S9130HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 413K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 27W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9130HR3 MRFE6S9130HSR3
Figure 2. MRFE6S9130HR3(SR3)
Test Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
C7
B2
C6
B1
L1
C4 C8
C5 C9
C3
C2
C1
C16 C17 C18
C19
C15
C14
L2
C10
C11
C12
C13
900 MHz
Rev 02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38075HR5 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780 |
| MRF7S38040HSR3 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| MRF7S38040HR5 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| MRF7S38040HR3 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| FCN2420E104K-B | CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9130HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRFE6S9130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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