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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HSR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | MRFE6S9135HSR3 |
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zload
Zsource
f = 820 MHz
Zo = 10 Ω
f = 980 MHz
f = 820 MHz
f = 980 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1000 mA, Pout = 39 W Avg.
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
820
3.39 - j6.99
2.18 - j0.80
840
3.32 - j6.86
2.20 - j0.71
860
3.05 - j6.74
2.21 - j0.66
880
2.72 - j6.47
2.20 - j0.64
900
2.46 - j6.16
2.20 - j0.64
920
2.41 - j5.80
2.18 - j0.62
940
2.41 - j5.58
2.13 - j0.63
960
2.38 - j5.45
2.03 - j0.66
980
2.13 - j5.38
1.87 - j0.70
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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