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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HSR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | MRFE6S9135HSR3 |
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Nov. 2007
Initial Release of Data Sheet
1
Nov. 2007
Updated Fig. 12, MTTF versus Junction Temperature, to reflect a 32.3% typical efficiency rating, p. 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6S9160HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6S9200HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6S9201HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6S9201HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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