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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
?5
?10
?15
?20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
980
820
IRL
19
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 35 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
?65
33
27
?40
?50
?55
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
VDD= 28 Vdc, Pout
= 35 W (Avg.)
IDQ
= 1200 mA, N?CDMA IS?95
Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
?60
?45
30
21
20
18
16
15
13
14
17
ALT1
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
980
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 70 Watts Avg.
960
940
920
900
880
860
840
?70
50
40
?30
?50
?60
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
?40
35
45
20
18
16
14
12
13
ALT1
15
17
19
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
16
22
1
IDQ
= 1800 mA
1500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
17
G
ps
, POWER GAIN (dB)
600 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
900 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?20
1
IDQ
= 600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
?30
?40
?50
?70
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
?10
900 mA
1800 mA
400
1500 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements, 1 kHz Tone Spacing
20
18
1200 mA
?60
1200 mA
840
VDD= 28 Vdc, Pout
= 70 W (Avg.)
IDQ
= 1200 mA, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
0
?5
?10
?15
?20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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