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参数资料
| 型号： | MRFE6S9160HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 497K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.2A |
| 功率 - 输出： | 35W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, IDQ
= 1200 mA, 865-900 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 160 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
10
?
MHz
Gain Flatness in 35 MHz Bandwidth @ Pout
= 35 W Avg.
GF
?
0.5
?
dB
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.016
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.008
?
dBm/°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HR3 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
| 3059Y-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 1W TH |
| 3059Y-1-504LF | TRIMMER 500K OHM 1W TH |
| MRFE6S9130HSR3 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780S |
| MRFE6S9130HR5 | MOSFET RF N-CH 27W NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9200HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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