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参数资料
| 型号： | MRFE6S9201HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?25
0
?5
?10
?15
960
800
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 40 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
12
22
21
20
19
18
17
16
?65
40
35
30
25
?40
?45
?50
?55
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
VDD= 28 Vdc, Pout
= 40 W (Avg.)
IDQ
= 1400 mA, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
15
14
13
20
?60
?20
ALT1
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?25
0
?5
?10
?15
960
800
IRL
Gps
17
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout
= 84 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
12
22
21
20
19
18
16
50
30
20
?30
?40
?45
?50
?55
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
15
14
13
?35
?60
?20
ALT1
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10 400100
23
1
IDQ
= 2100 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
700 mA
1050 mA
22
21
20
G
ps
, POWER GAIN (dB)
19
18
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?10
1
IDQ
= 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1050 mA
100
?20
?30
?40
400
?70
?50
10
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
VDD= 28 Vdc, Pout
= 84 W (Avg.)
IDQ
= 1400 mA, N?CDMA IS?95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
1400 mA
1750 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
?60
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
1750 mA
1400 mA
2100 mA
40
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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