- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21694 > MRFE6S9201HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6S9201HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
Zload
Zsource
Zo
= 5
Ω
f = 980 MHz
f = 820 MHz
f = 820 MHz
f = 980 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 40 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
820
3.28 - j3.94
0.78 + j0.24
840
3.12 - j3.93
0.81 + j0.36
860
2.85 - j3.73
0.83 + j0.51
880
2.58 - j3.39
0.82 + j0.70
900
2.44 - j2.98
0.83 + j0.98
920
2.43 - j2.87
1.02 + j1.60
940
2.31 - j2.66
4.12 + j1.11
960
2.17 - j2.54
1.49 - j0.66
980
1.91 - j2.39
0.90 - j0.26
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HR3 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 |
| MRFE6S9200HSR3 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| MRFE6S9200HR5 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9200HR3 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| MRFE6S9160HR5 | MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9201HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9201HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。