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参数资料
| 型号： | MRFE6S9205HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 404K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
18
22
0
VDD
= 24 V
28 V
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain versus Output Power
IDQ
= 1400 mA
f = 880 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
32 V
21
20
19
50 100 150 200 250 300
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is
operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 58 W Avg., and
ηD
= 34%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ 5 MHz Offset.
Input PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
Input Signal
Compressed Output
Signal @ 58 W Pout
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
?100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8 5.43.6
0
?7.2
?5.4
?3.6
?1.8
?9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9205HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors |
| MRFE6VP100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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