参数资料
型号: MRFE6S9205HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 8/12页
文件大小: 404K
描述: MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 880MHz
增益: 21.2dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.4A
功率 - 输出: 58W
电压 - 额定: 66V
封装/外壳: NI-880
供应商设备封装: NI-880
包装: 带卷 (TR)
MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
C19
B1
C6
C5
C15
C16
C17
CUT OUT AREA
MRFE6S9205H
Rev. 1
+
R2
R3
C7
C4
C3
R1
C1
C2
C18
C23
C24
C21
C22
C25
C26
C27
C20
C9
C13
C12
C11
C10
C8
C14
Figure 2. MRFE6S9205HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
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PDF描述
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参数描述
MRFE6S9205HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9205HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9205HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP100H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors
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