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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 777K |
| 代理商： | MRFE6VP8600HR6 |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — DVB--T (8k OFDM)
12
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. Source Peak--to--Average DVB--T (8k OFDM)
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
--20
--5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. DVB--T (8k OFDM) Spectrum
--30
--40
--50
--90
--70
--80
--100
--110
--60
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
4kHz BW
(dB
)
10
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
AC
PR
,AD
JAC
EN
T
CH
AN
NEL
POWER
RA
TIO
(d
Bc)
Figure 11. Single--Carrier DVB--T (8k OFDM) Drain
Efficiency, Power Gain and ACPR versus Output Power
10
--68
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
--56
25
15
--58
--62
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
35
30
20
--60
--64
--66
ηD
Gps
ACPR
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA
f = 860 MHz, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
4kHz BW
DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
20
140
200
40
60
80
100
120
160
180
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6AT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35002N6T1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
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| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
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