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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR6 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 777K |
| 代理商： | MRFE6VP8600HR6 |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — 470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DI
ST
OR
TION
SH
OU
LD
ER
(d
Bc)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
1000
15
21
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PULSED
Figure 16. Broadband Pulsed Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power — 470--860 MHz
100
10
19
18
17
16
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
Gps
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
20
50
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LOSS
(d
B)
--13
--6
900
450
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. Broadband Pulsed Power Gain, Drain
Efficiency and IRL versus Frequency
800
750
700
650
600
550
500
21
20
66
62
46
38
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
17
16
13
19
18
54
--5
--11
Figure 18. DVB--T (8k OFDM) Drain Efficiency, Power Gain and
IMD Shoulder versus Output Power — 470--860 MHz
5--35
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
35
--5
25
10
--15
40
--25
Gps
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data
Carrier Modulation, 5 Symbols
30
0
200
15
ηD
860 MHz
15
14
850
--7
20
IMD(1)
VDD =50 Vdc,Pout = 600 W Peak, IDQ = 1400 mA
Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 10%
665 MHz
470 MHz
860 MHz
470 MHz
665 MHz
470 MHz
860 MHz
665 MHz
470 MHz
665 MHz
470 MHz
860 MHz
58
50
42
34
--10
--20
--30
400
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA
Pulse Width = 100 μsec
Duty Cycle = 10%
860 MHz
80
120
160
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
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PDF描述 |
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