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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HSR6 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230S, CASE 375E-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 777K |
| 代理商： | MRFE6VP8600HSR6 |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
VDD =50 Volts,IDQ = 1400 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input
Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF, TC =50°C.
Signal Type
Pout
(W)
f
(MHz)
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output
PAR
(dB)
IMD
Shoulder
(dBc)
DVB--T (8k OFDM)
125 Avg.
470
19.0
27.2
8.2
--31.1
650
20.3
30.6
7.6
--30.3
860
19.0
27.9
7.7
--30.4
Figure 14. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Broadband Test Circuit Component Layout — 470--860 MHz
MRFE6VP8600H
Rev. 1
C1
C2
L1
R1
COAX1
COAX2
C5
C4
C6
C7
C8
C9*
C13 C14
L2
R2
C39
C40
COAX3
COAX4
C35
C34 C32
C31
C33*
C18
C19
*C9, C11, C12, C21, C22, C23, C24, C25, C26, C27, C28, C29, C30 and C33 are mounted vertically.
C3
C10
C11*
C12*
C15
C38
C37
C36
C29* C30*
C24*
C23*
C25*
C26*
C27*
C28*
C21*
C22*
C20
C17
C16
C6
Q1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HR5 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP8600HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFG35002N6AT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35002N6T1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
| MRFE6VS25NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25NR1-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VS Series 2000 MHz 25 W 50 V N-Channel RF Power Mosfet - TO-270-2 |
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