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参数资料
| 型号： | MRFG35003N6T1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 124K |
| 描述： | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 9dB |
| 电压 - 测试： | 6V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35003N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
?60
0
0.1
?60
0
?10 ?10IRL
ACPR
?50 ?50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
ACPR (dBc)
?20 ?20V
DS
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W?CDMA
?30 ?30
ΓS
= 0.898
?132.18, ΓL
= 0.883
?134.70
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
?40 ?40
1
8
12
0.1
0
40
10.5 25GT
910PAE
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
, POWER ADDED EFFICIENCY (%)
PAE
G
T
, TRANSDUCER GAIN (dB)
VDS
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA
8.5 5f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W?CDMA
ΓS
= 0.898
?132.18, ΓL
= 0.883
?134.70
11.5 35
11 30
10 20
9.5 15
NOTE:
All data is referenced to package lead interface. ΓS
and
ΓL
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
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