参数资料
型号: MRFG35003N6T1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 8/10页
文件大小: 124K
描述: MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
标准包装: 1,000
晶体管类型: pHEMT FET
频率: 3.55GHz
增益: 9dB
电压 - 测试: 6V
额定电流: 2.9A
电流 - 测试: 180mA
功率 - 输出: 3W
电压 - 额定: 8V
封装/外壳: PLD-1.5
供应商设备封装: PLD-1.5
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35003N6T1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS
= 6 Vdc, I
DQ
= 180 mA (continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2.8
0.946
151.55
0.787
34.63
0.022
4.64
0.836
152.55
2.85
0.946
150.81
0.778
33.54
0.023
3.61
0.836
152.02
2.9
0.945
150.11
0.770
32.46
0.023
2.16
0.837
151.54
2.95
0.945
149.30
0.762
31.37
0.023
1.54
0.835
150.98
3
0.945
148.44
0.754
30.25
0.023
1.03
0.835
150.40
3.05
0.944
147.58
0.747
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0.023
0.48
0.837
149.89
3.1
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146.55
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