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参数资料
| 型号： | MRFG35003NR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 129K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 11.5dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.3A |
| 电流 - 测试： | 55mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRFG35003NR5DKR |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35003NT1 replaced by MRFG35003ANT1.
MRFG35003NT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
?
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 55 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power ? 300 mWatt
Power Gain ? 11.5 dB
Efficiency ? 25%
?
3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
?
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
?
High Gain, High Efficiency and High Linearity
?
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
?
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
8.1 (2)
0.05 (2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
29
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case Class AB
RθJC
18.5 (2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35003N
Rev. 5, 1/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 3 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35003NT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18170HR3 | TRANSISTOR RF LDMOS NI-880 |
| MCM01-001DD470K-F | CAP MICA 47PF 500V 10% SMD |
| MCM01-001DD470J-F | CAP MICA 47PF 500V 5% SMD |
| MCM01-001DD450J-F | CAP MICA 45PF 500V 5% SMD |
| MCM01-001DD430M-F | CAP MICA 43PF 500V 20% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35003NT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35005ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35005MR5 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35005MT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35005MT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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