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参数资料
| 型号： | MRFG35005MT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.7A |
| 电流 - 测试： | 80mA |
| 功率 - 输出： | 4.5W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005MT1
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
1.7
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 12 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSO
?
?
600
μAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
< 1.0
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 8.7 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 12 Vdc, I
D
= 80 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.8
-0.6
Vdc
Power Gain
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
10
11
?
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
?
4.5
?
W
Drain Efficiency
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 80 mA, P
out
= 450 mW Avg.,
f = 3.55 GHz)
D
22
25
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
= 12 Vdc, P
out
= 450 mW Avg., I
DQ
= 80 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
?
-42
-39
dBc
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