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参数资料
| 型号： | MRFG35005MT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 11dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.7A |
| 电流 - 测试： | 80mA |
| 功率 - 输出： | 4.5W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005MT1
Figure 2. 3.5 GHz Test Circuit Component Layout
C18
C26
C21
C5
C6
C7
C25
C19
C20
C9 C8
C22
MRFG35005M
Rev 1
C24
C27
C29
C1
C23
C12
C2
C15
C3
C11
C10
C4
C16
C17
C14
R1
C28
C13
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35005NT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD |
| MRFG35010ANT1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35010AR1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| MRFG35010MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35010NT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRFG35005NT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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