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参数资料
| 型号： | MRFG35005NT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MRFG35005NT1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRFG35005NT1 replaced by MRFG35005ANT1.
MRFG35005NT1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 450 mWatt
Power Gain — 11 dB
Efficiency — 25%
4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
10.5 (2)
0.07 (2)
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
30
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +150
°C
Channel Temperature (1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +85
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class AB
RθJC
14.2 (2)
°C/W
Table 3. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
1
260
°C
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
2. Simulated.
Document Number: MRFG35005N
Rev. 5, 1/2008
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 4.5 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35005NT1
CASE 466-03, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2008. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG9801 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG9801R | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRW2005 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRW2010 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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