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参数资料
| 型号： | MRFG35005NT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MRFG35005NT1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRFG35005NT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
1
60
0.01
60
ACPR
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
20
30
40
50
0.1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
10
VDS = 12 Vdc, IDQ = 85 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.868é115.15_, ΓL = 0.764é139.11_
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
G
T
,TRANSDUCER
GAIN
(dB)
PAE,
POWER
ADDED
EFFICIENCY
(%)
1
0
20
0.01
0
40
GT
PAE
VDS = 12 Vdc, IDQ = 85 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.868é115.18_, ΓL = 0.764é139.11_
17.5
35
15
30
12.5
25
10
20
7.5
15
510
2.5
5
0.1
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PDF描述 |
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