- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFG35010AR1 (Freescale Semiconductor)TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35010AR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 420K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 140mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360HF |
| 供应商设备封装： | NI-360HF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
2.9
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 12 Vdc, V
GS
= -2.2 Vdc)
IDSO
?
0.09
1
mAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
5
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 12 Vdc, I
D
= 180 mA)
VGS(Q)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(1)
V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 140 mA, P
out
= 1 W Avg., f = 3550 MHz,
Single-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
9
10
?
dB
Drain Efficiency
D
23
25
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-43
-40
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 12 Vdc, IDQ
= 140 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
10
?
W
1. Measurements made with device in test fixture.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35010MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35010NT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35010R1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| MRFG35020AR1 | TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 |
| MRFG35030R5 | MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRFG35010MT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35010NR5 | 功能描述:TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。