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参数资料
型号： MRFG35010MT1
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 9/12页
文件大小： 511K
描述： MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
标准包装： 1,000
晶体管类型： pHEMT FET
频率： 3.55GHz
增益： 10dB
电压 - 测试： 12V
额定电流： 2.9A
电流 - 测试： 180mA
功率 - 输出： 9W
电压 - 额定： 15V
封装/外壳： PLD-1.5
供应商设备封装： PLD-1.5
包装： 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010MT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.5
0.946
-177.11
4.710
82.28
0.016
8.19
0.759
-179.39
0.55
0.945
-178.28
4.303
80.79
0.016
7.57
0.758
-179.99
0.6
0.944
-179.44
3.963
79.23
0.016
7.60
0.758
179.39
0.65
0.945
179.50
3.674
77.69
0.016
7.44
0.758
178.74
0.7
0.945
178.60
3.427
76.28
0.016
7.44
0.757
177.98
0.75
0.944
177.66
3.211
74.83
0.016
7.21
0.757
177.28
0.8
0.945
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3.023
73.24
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176.57
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2.853
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0.017
7.16
0.756
175.75
0.9
0.944
175.17
2.705
70.36
0.017
7.34
0.756
174.99
0.95
0.945
174.36
2.570
68.88
0.017
7.31
0.755
174.18
1
0.945
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2.447
67.47
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7.08
0.755
173.33
1.05
0.944
172.90
2.337
66.06
0.017
7.29
0.756
172.51
1.1
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172.09
2.234
64.52
0.017
7.56
0.756
171.82
1.15
0.944
171.29
2.139
63.11
0.017
7.46
0.756
171.01
1.2
0.944
170.57
2.052
61.73
0.017
7.43
0.757
170.22
1.25
0.943
169.71
1.971
60.26
0.017
7.47
0.757
169.52
1.3
0.944
168.85
1.894
58.81
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1.65
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7.46
0.765
167.71
1.7
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2
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41.23
0.018
7.61
0.771
164.05
2.05
0.947
157.30
1.179
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2.2
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7.22
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1.058
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160.43
2.4
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156.36
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