参数资料
型号: MRFG35010NT1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 8/10页
文件大小: 167K
描述: MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD
标准包装: 1,000
晶体管类型: pHEMT FET
频率: 3.55GHz
增益: 10dB
电压 - 测试: 12V
额定电流: 2.9A
电流 - 测试: 180mA
功率 - 输出: 9W
电压 - 额定: 15V
封装/外壳: PLD-1.5
供应商设备封装: PLD-1.5
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35010NT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA (continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2.8
0.943
150.66
0.906
23.27
0.021
6.42
0.776
155.80
2.85
0.943
149.88
0.894
22.02
0.022
5.21
0.777
155.28
2.9
0.942
149.16
0.883
20.80
0.021
4.17
0.778
154.81
2.95
0.942
148.32
0.872
19.56
0.021
4.03
0.778
154.25
3
0.943
147.41
0.862
18.28
0.021
3.53
0.778
153.67
3.05
0.942
146.51
0.853
16.96
0.022
3.11
0.780
153.18
3.1
0.940
145.45
0.842
15.64
0.022
2.65
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3.15
0.940
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14.29
0.022
2.43
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152.04
3.2
0.941
143.33
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13.00
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2.48
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151.43
3.25
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142.25
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11.67
0.022
2.48
0.781
150.92
3.3
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10.32
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2.08
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150.33
3.35
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140.02
0.795
8.97
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1.99
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149.74
3.4
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7.61
0.022
2.11
0.783
149.19
3.45
0.938
137.88
0.776
6.26
0.023
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4.96
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3.55
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