型号: | MRFG35010R1 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
文件页数: | 9/11页 |
文件大小: | 367K |
代理商: | MRFG35010R1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
MSA1022-CT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSA1022-CT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MRFG35010R5 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
MRFG35020AR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFG35020AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
MRFG35030R5 | 功能描述:MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
MRFIC0001 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT |