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参数资料
| 型号： | MS1020 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | MS1020 |
MSC0924.PDF 10-09-98
MS1020
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
Tcase = 25°°C)
C)
STATIC
Symbol
Test Conditions
Value
Min.
Typ.
Max.
Unit
Bvebo
Ie= 10 mA
4
---
V
Bvces
Ic= 200 mA
110
---
V
Bvceo
Ie= 10 mA
55
---
V
HFE
VCE = 6 V
IC= 1.4A
18
---
60
B
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Min.
Typ.
Max.
Unit
Pout
f =30 MHz
VCC=50V
ICQ=50 mA
---
65
W
Gpe
Pout= 65W (PEP)
VCC=50V
ICQ=50 mA
16
18
---
dB
ηη
C
Pout= 65W (PEP)
VCC=50V
ICQ=50 mA
37
---
dB
I-MOD
Pout= 65W (PEP)
VCC=50V
ICQ=50 mA
---
-30
dBC
Conditions
f1=30.000 f2=30.001
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