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参数资料
| 型号： | MS1226 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, M113, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | MS1226 |
053-7055 Rev - 10-2002
MS1226
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
HF SSB APPLICATIONS
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor
designed primarily for SSB communications. This device
utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and
reliability.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Paramete
r
Value
U
nit
VCBO
Co llector-base Voltage
65
V
VCEO
Co llector-emitter Voltage
36
V
VEBO
Emit ter-Base Voltage
4.0
V
IC
Dev ice Current
4.5
A
PDISS
Po wer Dissipation
80
W
TJ
Ju nction Temperature
+200
C
TSTG
Storage Temperature
-65 to +150
C
Therma
Thermal Data
l Data
RTH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
2.2
C/W
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -28 dB
POUT = 30 WATTS
GP = 18 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MS1261 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MS1263 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MS1227 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MS1227A | 制造商:Microsemi 功能描述:MS1227A |
| MS1227D | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Microsemi 功能描述:MS1227D |
| MS122901 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MS122903 | 制造商:MS# - MILITARY 功能描述: |
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