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参数资料
| 型号： | MSARW80G20AS |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 80 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | MSARW80G20AS |
DESCRIPTION
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Reverse (Leakage)
IR25
VR= 200 Vdc, Tc= 25
°C
-
250
A
Current
IR100
VR= 200 Vdc, Tc= 100
°C
-10
mA
Forward Voltage
VF1
IF= 5 A, Tc= 25
°C
720
750
mV
pulse test,
VF2
IF= 25 A, Tc= 25
°C
860
900
mV
pw= 300
s
VF3
IF= 50 A, Tc= 25
°C
950
1050
mV
d/c
≤ 2%
VF4
IF= 80 A, Tc= 25
°C
1050
mV
VF5
IF= 50 A, Tc= -55
°C
1150
mV
VF6
IF= 50 A, Tc= 100
°C
830
mV
Junction Capacitance
Cj1
VR= 10 Vdc
500
pF
Reverse Recovery
Time
trr
IF= 9.9A, dIF/dt=
200A/
s, Vr= 30V
35
37
ns
Reverse Recovery
Current
IRM(rec)
IF= 9.9A, dIF/dt=
200A/
s, Vr= 30V
55.5
A
Breakdown Voltage
BVR
IR= 250
A, Tc= 25°C
200
V
MSARW80G20A
typ VF vs IF vs TC
0.500
0.550
0.600
0.650
0.700
0.750
0.800
0.850
0.900
0.950
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IF (A)
VF
(V)
TC=0C
TC=25C
TC=80C
Electrical Parameters
MSARW80G20A
(MX028)
Datasheet# MSC1459.pdf rev1
June, 2000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSCD100-12 | 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSCD100-18 | 100 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSCD100-08 | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSCD200-16 | 200 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSKD200-18 | 200 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSAS-068-JGG-11 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN PGA SCKT SKT 68 POS 2.54MM SLDR ST TH - Bulk |
| MSAS-068-ZAGG-11 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN PGA SCKT SKT 68 POS 2.54MM SLDR ST TH - Bulk |
| MSAS-068-ZAGT-11 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN PGA SCKT SKT 68 POS 2.54MM SLDR ST TH - Bulk |
| MSAS-068-ZEGG-10 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN PGA SCKT SKT 68 POS 2.54MM ST TH - Bulk |
| MSAS-068-ZEGG-11 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN PGA SCKT SKT 68 POS 2.54MM ST TH - Bulk |
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