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参数资料
| 型号： | MSB710-Q |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 318D-03, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | MSB710-Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP4N40E16 | 4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MJE13005-DR6280 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA64TPE2 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJE1502916A | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MTP33N10ET | 33 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSB710QT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSB710-QT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSB710-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB710-RT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB73D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:RED LED ENCAPSULATED IN A 1mm x 5mm RECTANGULAR BARS PACKAGE |
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