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参数资料
| 型号： | MSCD165-12 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE D1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | MSCD165-12 |
MSKD165_MSAD165_MSCD165 - Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/3
MSKD165 ; MSAD165 ; MSCD165
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD165-08
MSKD165-12
MSKD165-16
MSKD165-18
MSAD165-08
MSAD165-12
MSAD165-16
MSAD165-18
MSCD165-08
MSCD165-12
MSCD165-16
MSCD165-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
165
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
6000
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
180000
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M6)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M6)
5±15%
Nm
Weight
Module
160
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.18
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.05
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
165 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.4
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤9
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSCD165-16 | 165 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSKD165-12 | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSKD165-18 | 165 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSAD36-16 | 36 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSKD36-08 | 36 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSCD165-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 165A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSCD165-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 165A D2 |
| MSCD200-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 200A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSCD200-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 200A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSCD200-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 200A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
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