型号: | MSKD36-08 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 36 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | CASE D1, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 319K |
代理商: | MSKD36-08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MSARW80G20AS | 80 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSCD100-12 | 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSCD100-18 | 100 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSCD100-08 | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSCD200-16 | 200 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MSKD36-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 36A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD36-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 36A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD36-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 36A D1 |
MSKD60-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 60A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD60-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 60A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |