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参数资料
| 型号： | MSKD36-08 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 36 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE D1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | MSKD36-08 |
MSKD36_MSAD36_MSCD36 -Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
2/3
MSKD36 ; MSAD36 ; MSCD36
Performance Curves
Fig1. Forward Characteristics
Fig3. Transient thermal impedance
Fig2. Power dissipation
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
Fig5.Forward Current Derating Curve
Zth(j-C)
Typ.
25
℃
125
℃
IF
150
A
75
0
VF
0.5
1.0
1.5
2.0 V
0 ID
18
36 A
100
W
50
Pvtot
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100 S
1
10
cycles 100
500
0
1000
A
0 Tc
50
100
150 °C
50Hz
1.5
℃/ W
1.0
0
0.5
ID
50
A
40
30
0
20
10
Three-Phase
Single-Phase
Three-Phase
Single-Phase
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSARW80G20AS | 80 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| MSCD100-18 | 100 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSCD100-08 | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MSKD36-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 36A D1 |
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| MSKD60-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 60A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
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