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参数资料
| 型号： | MSD52-12 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 PHASE, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE M2, 5 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | MSD52-12 |
MSD52
MSD52-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
2/3
Performance Curves
Fig1. Forward Characteristics
Fig3. Transient thermal impedance
Fig2. Power dissipation
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
Fig5.Forward Current Derating Curve
Typ.
25
℃
125
℃
Zth(j-C
200
A
150
100
50
IF
0
VF
0.5
1.0
1.5
2.0 V
1
10
cycles 100
600
A
400
200
0
0 Tc
50
100
150 °C
ID
100
A
80
60
0
40
20
0.001
0.01
0.1
1
10
100 S
1.5
1.0
0.5
0
2.0
℃/W
50Hz
W
0
120
60
Pvtot
0
ID
25
50 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1640FCTP | 16 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MLL748P | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MB401P | 40 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MBR10100CT-E3/4W | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MA1.5KE150CAE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD52-16 | 功能描述:DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 桥式整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 峰值反向(最大):1000V 电流 - DC 正向(If):35A 二极管类型:单相 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 供应商设备封装:ISOTOP? |
| MSD52-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
| MSD52A1 | 制造商:CONNOR-WINFIELD 制造商全称:Connor-Winfield Corporation 功能描述:HCMOS SM CLOCK WITH ENABLE/DISABLE |
| MSD52A1G | 制造商:CONNOR-WINFIELD 制造商全称:Connor-Winfield Corporation 功能描述:3.3V SURFACE MOUNT HCMOS CLOCK OSCILLATOR |
| MSD52A1G-125M | 制造商:CONNOR-WINFIELD 制造商全称:Connor-Winfield Corporation 功能描述:3.3V SURFACE MOUNT HCMOS CLOCK OSCILLATOR |
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