型号: | MSD601RT1 |
厂商: | Motorola, Inc. |
英文描述: | NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
中文描述: | npn型通用放大器,晶体管表面贴装 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | MSD601RT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MSM5116160B | 1M×16 Dynamic RAM(1M×16动态RAM) |
MSM5116160F | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
MSM5116160F-50JS | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
MSM5116160F-50TS-K | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
MSM5116160F-60JS | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MSD-601RT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSD601-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD-601RT1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSD601-RT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD601-RT2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |