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参数资料
| 型号： | MSD602-RT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | MSD602-RT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSG110 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MSG33003 | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG36C42 | 2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG36E31 | 2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG43002 | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD6100 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MSD6100G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MSD6100RLRA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MSD6100RLRAG | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MSD6101 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
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