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参数资料
| 型号： | MSKD120-12 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE D1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 295K |
| 代理商： | MSKD120-12 |
MSKD120_MSAD120_MSCD120 - Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/4
MSKD120 ; MSAD120 ; MSCD120
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD120-08
MSKD120-12
MSKD120-16
MSKD120-18
MSAD120-08
MSAD120-12
MSAD120-16
MSAD120-18
MSCD120-08
MSCD120-12
MSCD120-16
MSCD120-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
120
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
2800
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
39200
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M5)
2
．5-4
Nm
Ms
To heatsink(M5)
2
．5-4
Nm
Weight
Module
110
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.26
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.1
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
MSKD
1
3
2
MSAD
1
3
2
MSCD
1
3
2
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
120 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.43
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤6
mA
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PDF描述 |
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| MSCD165-12 | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSCD165-16 | 165 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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