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参数资料
| 型号： | MSKD60-16 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 60 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE D1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | MSKD60-16 |
MSKD60_MSAD60_MSCD60 - Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/3
MSKD60 ; MSAD60 ; MSCD60
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD60-08
MSKD60-12
MSKD60-16
MSKD60-18
MSAD60-08
MSAD60-12
MSAD60-16
MSAD60-18
MSCD60-08
MSCD60-12
MSCD60-16
MSCD60-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
60
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
1150
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
6600
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M5)
2
．5-4
Nm
Ms
To heatsink(M5)
2
．5-4
Nm
Weight
Module
110
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.59
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.1
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
MSKD
1
3
2
MSAD
1
3
2
MSCD
1
3
2
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
60 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =200A
1.3
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤5
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSP5.0A-M3/89A | 100 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MIV41012-21 | mm WAVE BAND, 0.4 pF, 75 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA46476-134 | VHF-KA BAND, 2 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA4E2054B1-287T | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE |
| MQ15KP100CA | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSKD60-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 60A D1 |
| MSKD70-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 70A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSKD70-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 70A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSKD70-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 70A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| MSKD70-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 70A D1 |
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