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参数资料
型号： MSP430F2234IRHA
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC40
封装： GREEN, PLASTIC, QFN-40
文件页数： 53/94页
文件大小： 1583K
代理商： MSP430F2234IRHA
MSP430F22x2
MSP430F22x4
www.ti.com
SLAS504E
– JULY 2006 – REVISED MARCH 2011
Flash Memory
over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
VCC (PGM/ERASE)
Program and erase supply voltage
2.2
3.6
V
fFTG
Flash timing generator frequency
257
476
kHz
IPGM
Supply current from VCC during program
2.2 V/3.6 V
1
5
mA
IERASE
Supply current from VCC during erase
2.2 V/3.6 V
1
7
mA
tCPT
Cumulative program time(1)
2.2 V/3.6 V
10
ms
tCMErase
Cumulative mass erase time
2.2 V/3.6 V
20
ms
Program/Erase endurance
104
105
cycles
tRetention
Data retention duration
TJ = 25°C
100
years
tWord
Word or byte program time
(2)
30
tFTG
tBlock, 0
Block program time for 1st byte or word
(2)
25
tFTG
Block program time for each additional
tBlock, 1-63
(2)
18
tFTG
byte or word
tBlock, End
Block program end-sequence wait time
(2)
6
tFTG
tMass Erase
Mass erase time
(2)
10593
tFTG
tSeg Erase
Segment erase time
(2)
4819
tFTG
(1)
The cumulative program time must not be exceeded when writing to a 64-byte flash block. This parameter applies to all programming
methods: individual word/byte write and block write modes.
(2)
These values are hardwired into the flash controller
's state machine (tFTG = 1/fFTG).
RAM
over recommended ranges of supply voltage and operating free-air temperature (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
V(RAMh)
RAM retention supply voltage (1)
CPU halted
1.6
V
(1)
This parameter defines the minimum supply voltage VCC when the data in RAM remains unchanged. No program execution should
happen during this supply voltage condition.
Copyright
2006–2011, Texas Instruments Incorporated
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