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参数资料
| 型号： | MSP430F4794IPZR |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 47/80页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 16BIT 60KB FLASH 100LQFP |
| 产品培训模块： | The Ultra-Low Power MSP430 MSP430 Overview MSP430 Design Tools MSP430 Peripherals MSP430x2xx/4xx and Wireless Overview Portable Medical Solutions with MSP430 MSP430 for Utility Metering Solutions MSP430: How to JTAG MSP430, How To Use the Clock System Grace Software Graphical User Interface MCU Overview Driver Library MSP430Ware Overview |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MSP430x4xx |
| 核心处理器： | RISC |
| 芯体尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | I²C，IrDA，LIN，SCI，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 72 |
| 程序存储器容量： | 60KB（60K x 8 + 256B） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2.5K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 4x16b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 714 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 296-24722-6 |
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MSP430F47x3, MSP430F47x4
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
SLAS545C MAY 2007 REVISED MARCH 2011
51
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature (unless otherwise noted) (continued)
flash memory
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
VCC(PGM/
ERASE)
Program and Erase supply voltage
2.2
3.6
V
fFTG
Flash Timing Generator frequency
257
476
kHz
IPGM
Supply current from VCC during program
2.2 V/3.6 V
3
5
mA
IERASE
Supply current from VCC during erase
2.2 V/3.6 V
3
7
mA
tCPT
Cumulative program time (see Note 1)
2.2 V/3.6 V
10
ms
tCMErase
Cumulative mass erase time
2.2 V/3.6 V
20
ms
Program/Erase endurance
104
105
cycles
tRetention
Data retention duration
TJ = 25°C
100
years
tWord
Word or byte program time
30
tBlock, 0
Block program time for 1st byte or word
25
tBlock, 1-63
Block program time for each additional byte or word
see Note 2
18
t
tBlock, End
Block program end-sequence wait time
see Note 2
6
tFTG
tMass Erase
Mass erase time
10593
tSeg Erase
Segment erase time
4819
NOTES:
1. The cumulative program time must not be exceeded when writing to a 64-byte flash block. This parameter applies to all programming
methods: individual word/byte write and block write modes.
2. These values are hardwired into the Flash Controller’s state machine (tFTG = 1/fFTG).
RAM
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
V(RAMh)
RAM retention supply voltage (see Note 1)
CPU halted
1.6
V
NOTE 1: This parameter defines the minimum supply voltage VCC when the data in RAM remains unchanged. No program execution should
happen during this supply voltage condition.
JTAG interface
PARAMETER
TEST
CONDITIONS
VCC
MIN
NOM
MAX
UNIT
f
TCK input frequency
see Note 1
2.2 V
0
5
MHz
fTCK
TCK input frequency
see Note 1
3 V
0
10
MHz
RInternal
Internal pull-up resistance on TMS, TCK, TDI/TCLK
see Note 2
2.2 V/ 3 V
20
35
50
k
Ω
NOTES:
1. fTCK may be restricted to meet the timing requirements of the module selected.
2. TMS, TDI/TCLK, and TCK pull-up resistors are implemented in all versions.
JTAG fuse (see Note 1)
PARAMETER
TEST
CONDITIONS
VCC
MIN
MAX
UNIT
VCC(FB)
Supply voltage during fuse-blow condition
TA = 25°C
2.5
V
VFB
Voltage level on TDI/TCLK for fuse-blow: F versions
6
7
V
IFB
Supply current into TDI/TCLK during fuse blow
100
mA
tFB
Time to blow fuse
1
ms
NOTES:
1. Once the fuse is blown, no further access to the MSP430 JTAG/Test and emulation features is possible. The JTAG block is switched
to bypass mode.
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PDF描述 |
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