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参数资料
| 型号： | MSRD620CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 150K |
| 描述： | DIODE ULT FAST 200V 3A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 3A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 55ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MSRD620CTG-ND MSRD620CTGOS |
MSRD620CTG, MSRD620CTT4G, SSRD8620CTT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
200
V
Average Rectified Forward Current
(At Rated VR, TC
= 137
?C)
Per Leg
Per Package
IO
3.0
6.0
A
Peak Repetitive Forward Current
(At Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 138
?C)
Per Leg
IFRM
6.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
Per Package
IFSM
50
A
Storage / Operating Case Temperature
Tstg,
Tc
?55 to +175
?C
Operating Junction Temperature
TJ
?55 to +175
?C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Case
Per Leg
RJC
9.0
?C/W
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Ambient
Per Leg
RJA
80
?C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (See Figure 2)
Per Leg
VF
TJ
= 25
?C
TJ
= 150
?C
V
(IF
= 3.0 A)
(IF
= 6.0 A)
1.15
1.35
1.05
1.30
Maximum Instantaneous Reverse Current (See Figure 4)
Per Leg
IR
TJ
= 25
?C
TJ
= 150
?C
A
(VR
= 200 V)
(VR
= 100 V)
5.0
2.0
200
100
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Per Leg
(VR
= 30 V, I
F
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(VR
= 30 V, I
F
= 3.0 A, di/dt = 50 A/
s)
trr
45
55
ns
Maximum Peak Reverse Recovery Current
Per Leg
(VR
= 30 V, I
F
= 1.0 A, di/dt = 50 A/
s)
(VR
= 30 V, I
F
= 3.0 A, di/dt = 50 A/
s)
IRM
2.0
3.0
A
1. Pulse Test: Pulse Width ?
250
s, Duty Cycle ?
2%.
2. trr
measured projecting from 25% of I
RM
to ground.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSRD620CTRG | 功能描述:整流器 6 A 200 V ULTRASOFT RECT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MSRD620CTT4 | 功能描述:整流器 200V 6A Ultrasoft RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MSRD620CTT4G | 功能描述:整流器 200V 6A Ultrasoft RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MSRD620CTT4RG | 功能描述:整流器 Ultra Fast Recovery Rectifier 3A 75ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MSRE110 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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