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参数资料
| 型号： | MT28F320J3RG-11FET |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封装： | TSOP1-56 |
| 文件页数： | 44/52页 |
| 文件大小： | 564K |
| 代理商： | MT28F320J3RG-11FET |
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128Mb, 64Mb, 32Mb Q-Flash Memory
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT28F640J3_8.p65 – Rev. 7, Pub. 11/02
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb, 64Mb, 32Mb
Q-FLASH MEMORY
RESET OPERATION4
NOTE: 1. STS is shown in its default mode (RY/BY#).
2. These specifications are valid for all product versions (packages and speeds).
3. If RP# is asserted while a BLOCK ERASE, PROGRAM, or LOCK BIT CONFIGURATION operation is not executing, then the
minimum required RP# pulse LOW time is 100ns.
4. A reset time, tPHQV, is required from the latter of STS (in RY/BY# mode) or RP# going HIGH until outputs are valid.
RP#
VIH
VIL
STS
VIH
VIL
tPHRH
tPLPH
RESET SPECIFICATIONS
(Note: 1); Commercial Temperature (0C
≤ T
A ≤ +85C), Extended Temperature (-40C ≤ TA ≤ +85C)
CHARACTERISTICS
-11/-12/-15
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
RP# Pulse Low Time
tPLPH
35
s
2
(If RP# is tied to VCC, this specification is not applicable)
RP# HIGH to Reset during Block Erase, Program, or
tPHRH
100
ns
3
Lock Bit Configuration
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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