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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-601WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 20/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-601WT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
27
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
NOTE:
1. All tests are performed with the outputs configured for full drive strength (BCR[5] = 0).
2. Low-Z to High-Z timings are tested with the circuit shown in Figure 21 on page 25. The High-Z timings measure a
100mV transition from either VOH or VOL toward VCCQ/2.
3. High-Z to Low-Z timings are tested with the circuit shown in Figure 21 on page 25. The Low-Z timings measure a
100mV transition away from the High-Z (VCCQ/2) level toward either VOH or VOL.
4. Clock rates below 50 MHz (tCLK > 20ns) are allowed as long as tCSP specifications are met.
Table 17:
Burst READ Cycle Timing Requirements1
PARAMETER
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Burst to READ Access Time
tABA
35
55
ns
CLK to Output Delay
tACLK
6.5
10
ns
Burst OE# LOW to Output Delay
tBOE
20
ns
CE# HIGH between Subsequent Mixed-Mode Operations tCBPH
5
ns
CE# LOW to WAIT Valid
tCEW
17.5
1
7.5
ns
CLK Period
tCLK
9.62
20
15
20
ns
4
CE# Setup Time to Active CLK Edge
tCSP
4
20
5
20
ns
Hold Time from Active CLK Edge
tHD
22
ns
Chip Disable to DQ and WAIT High-Z Output
tHZ
8
ns
2
CLK Rise or Fall Time
tKHKL
1.6
ns
CLK to WAIT Valid
tKHTL
6.5
10
ns
CLK to DQ High-Z Output
tKHZ
38
ns
CLK to Low-Z Output
tKLZ
25
ns
Output HOLD from CLK
tKOH
2
ns
CLK HIGH or LOW Time
tKP
3
ns
Output Disable to DQ High-Z Output
tOHZ
8
ns
2
Output Enable to Low-Z Output
tOLZ
5
ns
3
Setup Time to Active CLK Edge
tSP
3
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| MT28C128532W30EBW-F705P856BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| M93C66-MB6TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48V8M16LFB4-75M:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| MS8256FKXA-12 | 256K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, DMA32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W2MV16PFA-70 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2MX16 PSRAM PLASTIC WIRELESS TEMP FBGA 1.8V ASYNCH PSEUDO ST - Trays |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Tape and Reel |
| MT45W2MW16BABB-706 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM Async 1 32M-Bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA |
| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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