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参数资料
| 型号： | MT46V32M4TG-8 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 48/68页 |
| 文件大小： | 2547K |
| 代理商： | MT46V32M4TG-8 |
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48
128Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
128Mx4x8x16DDR_C.p65
–
Rev. C; Pub. 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
PRELIMINARY
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(Notes: 1
–
5, 14
–
17, 33; notes appear on pages 50
–
53) (0
°
C
≤
T
A
≤
+70
°
C; V
DD
Q = +2.5V ±0.2V, V
DD
= +2.5V ±0.2V)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
Access window of DQs from CK/CK#
CK high-level width
CK low-level width
Clock cycle time
CL = 2.5
CL = 2
DQ and DM input hold time relative to DQS
DQ and DM input setup time relative to DQS
DQ and DM input pulse width (for each input)
Access window of DQS from CK/CK#
DQS input high pulse width
DQS input low pulse width
DQS-DQ skew, DQS to last DQ valid, per group, per access
Write command to first DQS latching transition
DQS falling edge to CK rising - setup time
DQS falling edge from CK rising - hold time
Half clock period
Data-out high-impedance window from CK/CK#
Data-out low-impedance window from CK/CK#
Address and control input hold time (fast slew rate)
Address and control input setup time (fast slew rate)
Address and control input hold time (slow slew rate)
Address and control input setup time (slow slew rate)
LOAD MODE REGISTER command cycle time
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-valid, per access
Data hold skew factor
ACTIVE to PRECHARGE command
ACTIVE to READ with Auto precharge command
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH command period
AUTO REFRESH command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
PRECHARGE command period
DQS read preamble
DQS read postamble
ACTIVE bank
a
to ACTIVE bank
b
command
DQS write preamble
DQS write preamble setup time
DQS write postamble
Write recovery time
Internal WRITE to READ command delay
Data valid output window
na
REFRESH to REFRESH command interval
Average periodic refresh interval
Terminating voltage delay to V
DD
Exit SELF REFRESH to non-READ command
Exit SELF REFRESH to READ command
-75Z
-75
-8
MIN
-0.75
-0.45
0.45
7.5
7.5
0.5
0.5
1.75
-0.75
0.35
0.35
MAX
+0.75
+0.55
0.55
13
13
MIN
-0.75
0.45
0.45
7.5
10
0.5
0.5
1.75
-0.75
0.35
0.35
MAX
+0.75
0.55
0.55
13
13
MIN
-0.8
0.45
0.45
8
10
0.6
0.6
2
-0.8
0.35
0.35
MAX
+0.8
0.55
0.55
13
13
UNITS
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
ns
μs
μs
ns
ns
t
CK
NOTES
t
AC
t
CH
t
CL
30
30
t
CK (2.5)
t
CK (2)
t
DH
t
DS
t
DIPW
t
DQSCK
t
DQSH
t
DQSL
t
DQSQ
t
DQSS
t
DSS
t
DSH
t
HP
t
HZ
t
LZ
t
IH
F
t
IS
F
t
IH
S
t
IS
S
t
MRD
t
QH
t
QHS
t
RAS
t
RAP
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RPRE
t
RPST
t
RRD
t
WPRE
t
WPRES
t
WPST
t
WR
t
WTR
45, 52
45, 52
26, 31
26, 31
31
+0.75
+0.75
+0.8
0.5
1.25
0.5
1.25
0.6
1.25
25, 26
0.75
0.2
0.2
t
CH,
t
CL
0.75
0.2
0.2
t
CH,
t
CL
0.75
0.2
0.2
t
CH,
t
CL
34
+0.75
+0.75
+0.8
18, 42
18, 43
14
14
14
14
-0.75
.90
.90
1
1
15
t
HP -
t
QHS
-0.75
.90
.90
1
1
15
t
HP -
t
QHS
-0.8
1.1
1.1
1.1
1.1
16
t
HP-
t
QHS
25, 26
0.75
0.75
1
40 120,000
40 120,000
40
120,000
35
46
t
RAS(MIN) - (burst length
*
t
CK/2)
65
75
20
20
1.1
0.9
0.6
0.4
15
0.25
0
0.6
0.4
15
1
t
QH -
t
DQSQ
140.6
15.6
0
0
75
75
200
200
65
75
20
20
0.9
0.4
15
0.25
0
0.4
15
1
70
80
20
20
0.9
0.4
15
0.25
0
0.4
15
1
t
QH -
t
DQSQ
50
1.1
0.6
1.1
0.6
42
20, 21
19
0.6
0.6
t
QH -
t
DQSQ
25
t
REFC
t
REFI
t
VTD
t
XSNR
t
XSRD
140.6
15.6
140.6
15.6
23
23
0
80
200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M4TG-8L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V4M32 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V4M32LG | I.MX31 LITE KIT |
| MT46V64M4 | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4组,双数据速率同步动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT46V32M4TG-8L | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M8 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M82ZZ5-75 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 SDRAM DDR PLASTIC PBF FBGA 2.5V - Trays |
| MT46V32M82ZZ5-75EZ | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX8 DDR SDRAM PLASTIC 2.5V - Trays |
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