型号: | MTB50N06VLT4 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 9/10页 |
文件大小: | 249K |
代理商: | MTB50N06VLT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTD3N25ET4 | 3 A, 250 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD4N20ET4 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD6N10ET4 | 6 A, 100 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD6P10ET4 | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTH40N06 | 40 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTB50N06VT4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
MTB50P03HDL | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50P03HDLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50P03HDLT4 | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50P03HDLT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |