- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98045 > MTB50N06VLT4 (ON SEMICONDUCTOR) 42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTB50N06VLT4 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | MTB50N06VLT4 |
MTB50N06VL
http://onsemi.com
11
Notes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB50N06VL | 42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB50P03HDLT4 | 50 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB52N06VLT4 | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB52N06VL | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB52N06VLT4G | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB50N06VT4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| MTB50P03HDL | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB50P03HDLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB50P03HDLT4 | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB50P03HDLT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。