型号: | MTB50P03HDL |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 30 VOLTS |
中文描述: | 50 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 8/12页 |
文件大小: | 182K |
代理商: | MTB50P03HDL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTB75N03HDL | TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 75 AMPERES 25 VOLTS |
MTB8N50E | TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS |
MTD1P50E | TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS 15 OHM |
MTD2N40E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM |
MTD2N50E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTB50P03HDLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50P03HDLT4 | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50P03HDLT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTB50SA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
MTB50SAM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |