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参数资料
| 型号： | MTB6N60E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS |
| 中文描述： | 6 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | MTB6N60E |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
P
R
JA = 50
°
C/W
Board material = 0.065 mil FR–4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size
≈
450 mils x 350 mils
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 13. Thermal Response
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (SECONDS)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
100
10
1.0
0.1
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
10
μ
s
1 ms
10 ms
dc
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
A
0
25
50
75
100
125
450
ID = 6 A
150
400
150
100
50
200
250
300
350
r
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB6N60 | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS |
| MTB6N60E1 | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS |
| MTC311 | PC-ATA Solid State Disk Card(微机异步通信终端适配器的固态磁盘卡) |
| MTD10N05E | TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD3302 | SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS RDS(on) = 10 mohm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB6N60E1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTB6N60ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTB75N03HDL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB |
| MTB75N05HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS |
| MTB75N05HDT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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