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参数资料
| 型号： | MTD10N05E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 10 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | MTD10N05E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3302 | SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS RDS(on) = 10 mohm |
| MTDF1C02HD | COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET |
| MTE125N20E | TMOS POWER FET 125 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.015 OHM |
| MTE215N10E | TMOS POWER FET 215 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.0055 OHM |
| MTE30N50E | TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.150 OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD10N10EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N LOGIC D-PAK |
| MTD10N10EL_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |
| MTD10N10ELT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTD10N10ELT4G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount |
| MTD1110 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Stepping Motor Driver ICs |
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