型号: | MTD20P03HDLT4 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | MTD20P03HDLT4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTD20P03HDLG | 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD20P06HDLT4G | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD20P06HDLG | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD20P06HDLT4 | 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD2955E | 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTD20P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM |
MTD20P06HDL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P LOGIC D-PAK |
MTD20P06HDLT4 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 15A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
MTD214 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Ethernet Encoder/Decoder and 10BaseT Transceiver with Built-in Waveform Shaper |
MTD2525J | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:DMOS Microstepping Dual PWM Motor Driver |